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開關頻率高的現代功率半導體裝置容易受到潛在損壞性電壓峰值脈沖的影響。波涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651.56）通過吸收電壓脈沖限制峰值電壓，從而保護半導體裝置，使波涌電壓保護電容器成為功率元件庫的重要組成部分。半導體裝置的額定電壓和電流值及其開關頻率是波涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器具有陡峭的DV/DT值，薄膜電容器是該應用程序的適當選擇。

在額定電壓值高達2000VDC的情況下，典型的電容額定值在470PF~47NF之間。對于IGBT等大功率半導體設備，電容值可高達2.2μF，電壓在1200VDC范圍內。電容器不能僅僅根據電容值/電壓值來選擇。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定了電容器內部的功耗。因此，應選擇損耗較低的電容器作為替換。